モバイル向けに256GBのUFSを量産するサムスン

サムスン電子は、ハイエンドモバイルデバイス用の256ギガバイト(GB)のユニバーサルフラッシュストレージの量産を開始すると発表した。

このチップの読み取り速度は850Mbpsで、従来のソリッドステートドライブ(SSD)の2倍、外部マイクロSDカードの3倍である260MBpsという書き込み速度があるとサムスン氏は語った。

Samsungが最近リリースしたGalaxy S7とS7 Edgeには256GBモデルがないため、このチップは主力デバイスやその他の将来の製品の派生モデルに向かう可能性が高い。

三星(サムスン)の広報担当者は、「チップは次世代の高級スマートフォンに投入されるだろう」と語った。

サムスンの256GB UFSは、スマートフォンの今日のニーズを満たすもので、スマートフォンには、サイズが最小で高速かつ高メモリを必要とする大型超高精細ディスプレイが必要とされているという。

世界最大のメモリチップメーカーが、昨年2月に128GBのUFSを発売し、最終的には発売後にGalaxy S6のバリエーションに入りました。

チップは三星独自の3D V-NANDフラッシュと超小型コントローラで作られています。

USB 3.0インターフェースをサポートするスマートフォンは、最大10倍の速さでデータ処理能力を高め、12秒以内に5GB Full HDビデオを転送できると同社は述べている。

NANDフラッシュでは、ますます多くのスマートフォンが埋め込み型マルチメディアカード(eMMC)からUFSに移行しています。 DRAMでは、高品質ビデオ、バーチャルリアリティ(VR)、およびその他の高メモリデータアクティビティの処理能力を向上させるため、LPDDR3の代わりに低電力のダブルデータレートシンクロナスDRAM 4(LPDDR4)が使用されています。

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